台積電、英特爾和三星為打造體積更小、效能更強的處理器,紛紛導入極紫外光(EUV)技術,相關設備所費不貲, 3 家大廠資本支出直線攀升,艾司摩爾等設備廠則成為受益者。
華爾街日報報導,晶圓代工大廠以最新製程挑戰物理極限,需要 EUV 微影技術當幫手。與常用光源相比,採用 EUV 的系統能讓晶片電路更加微縮,但先進晶圓廠建造成本也跟著水漲船高,台積電兩年前宣布的新廠建造費用達 200 億美元。
關鍵在於 EUV 光刻器具價格高昂。艾司摩爾(ASML)公布,第 3 季光售出 7 套 EUV 系統就進帳 7.43 億歐元,等於每套系統要價超過 1 億歐元(約新台幣 33.68 億元)。這還不含半導體製程控管與測試設備成本。
台積電深耕晶圓代工先進製程, 10 月表示強效版 7 奈米製程導入 EUV 技術,今年第 2 季開始量產,良率已相當接近 7 奈米製程; 6 奈米製程預計明年第 1 季試產,並於明年底前進入量產。
與此同時,晶圓代工龍頭廠商資本支出大增成為趨勢。
台積電 10 月宣布今年資本支出達 140 億至 150 億美元,高於原先設定目標近 40 %。英特爾(Intel)隨後宣布加碼 3 %,今年資本支出目標達 160 億美元,創公司成立以來新高,比兩年前高出 36 %。三星(Samsung)上週宣布,今年半導體事業資本支出約 200 億美元。
三星公布的金額略少於去年,但業界分析師預期,三星今年大幅減少投資記憶體生產,以便將更多資源投入次世代晶圓代工廠。
在 EUV 技術帶動下,半導體設備廠獲益良多。艾司摩爾第 3 季接獲 23 套 EUV 系統訂單,創單季訂單金額新高;半導體製程控管設備製造商科磊(KLA – Tencor)上週公布,會計年度第 1 季營收年增率達 29 %,並表示 EUV 投資是業績成長主要動能。
今年以來,艾司摩爾與科磊股價漲幅分別達 76 %、 94 %。報導指出,明年 EUV 需求預料更加旺盛,半導體設備廠前景一片光明。
(新聞資料來源 : 中央社)
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