半導體產業是台灣的經濟命脈，科技部今天（17 日）指出，國立交通大學與台灣積體電路製造公司合作組成的研究團隊，成功開發出大面積晶圓尺寸的「單晶氮化硼」成長技術，有效解決電子傳輸干擾問題，研究成果於 3 月榮登於全球頂尖學術期刊《自然》（Nature）。
積體電路中的電晶體尺寸不斷地縮小，即將達到傳統物理極限，在全球科學家研究下，目前已知二維原子層半導體材料厚度僅有 0.7 奈米，是解決方案之一，但電子在裡面傳輸過程會受到干擾。
在科技部長期支持下，交通大學與台積電合作組成的研究團隊發現，單原子層的氮化硼(boron nitride; BN)，只有一個原子厚度，是目前自然界最薄的絕緣層，也是被證明可以有效阻隔二維半導體不受鄰近材料干擾的重要材料，然而，過去的技術一直無法在晶圓上合成高品質單晶的單原子層氮化硼，在他們不斷嘗試之下，找到氮化硼分子沉積在銅晶體表面的物理機制，進而達成晶圓尺寸單晶氮化硼的生長技術。交通大學教授張文豪說：『(原音)為什麼我們可以辦到，其實是最後我們發現，我們可以形成單晶銅的表面，實際上氮化硼是可以在它的表面形成真正的單晶，因為以前沒有用這樣的方式做過，所以普遍做出來不是單晶，大家就認為不可能在上面形成單晶。』
不過，台積電處長李連忠指出，這只是晶圓尺寸突破過程中的一小步，距離量產還非常遠。科技部強調，這次台積電與交通大學的聯合研究成果，是國內產業與學校合作登上全球頂尖學術期刊《自然》的首例，對於產業與學校共同進行基礎研究具有指標性意義。
（新聞資料來源：中央廣播電台）
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